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文献
J-GLOBAL ID：201702276830159286
整理番号：17A1020056
表面形態とm面(101 0)GaNホモエピタキシャル層の電気的性質に及ぼすV/III比の影響【Powered by NICT】
Effect of V/III ratio on the surface morphology and electrical properties of m-plane ( 10 1 0 ) GaN homoepitaxial layers
Barry Ousmane I
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Tanaka Atsushi
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Nagamatsu Kentaro
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Bae Si-Young
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Lekhal Kaddour
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Matsushita Junya
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Deki Manato
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Nitta Shugo
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Honda Yoshio
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Amano Hiroshi
(Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
,
Amano Hiroshi
(Akasaki Research Center, Nagoya University, Nagoya, Aichi 464-8603, Japan)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 468 ページ： 552-556 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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