前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702276841899939
整理番号：17A1258282
7nm未満ノード低p+接触抵抗を標的としたGeにおけるIII族ドーパント(B, Ga&In)の固体溶解度限定されたドーパントの活性化【Powered by NICT】
Solid solubility limited dopant activation of group III dopants (B, Ga & In) in Ge targeting sub-7nm node low p+ contact resistance
Borland John
(J.O.B. Technologies, 98-1204 Kuawa St, Aiea, Hawaii, 96701, USA)
,
Lee Yao-Jen
(National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan)
,
Chuang Shang-Shiun
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan)
,
Tseng Tseung-Yuen
(Department of Electronics Engineering & Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan)
,
Liu Chee-Wee
(National Nano Device Labs, Hsinchu, Taiwan)
,
Huet Karim
(LASSE, Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd, 14-38 rue Alexandre, 92230 Gennevilliers, France)
,
Goodman Gary
(EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA)
,
Marino John
(EAG Laboratories, 104 Windsor Center Dr., East Windsor, NJ, 08520, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IWJT ページ： 94-97 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。