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文献
J-GLOBAL ID：201702276861736291
整理番号：17A0662543
GaN Schottky金属-アンモニアMBE法によるSi(111)上に成長した半導体-金属紫外光検出器【Powered by NICT】
GaN Schottky Metal-Semiconductor-Metal UV Photodetectors on Si(111) Grown by Ammonia-MBE
Ravikiran Lingaparthi
(Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Radhakrishnan K.
(Centre for Micro-/Nano-electronics (NOVITAS), School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Dharmarasu Nethaji
(Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Agrawal Manvi
(Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Wang Zilong
(Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Bruno Annalisa
(Singapore-Berkeley Research Initiative for Sustainable Energy, Energy Research Institute@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Soci Cesare
(Division of Physics and Applied Physics, School of Physical and Mathematical Sciences, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Lihuang Tng
(Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Ang Kian Siong
(Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名：
IEEE Sensors Journal
(IEEE Sensors Journal)
巻： 17 号： 1 ページ： 72-77 発行年： 2017年
JST資料番号： W1318A ISSN： 1530-437X CODEN： ISJEAZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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