文献
J-GLOBAL ID:201702276934315204
整理番号:17A1729110
Pt/HfO_2/Ti/Ptメムリシスタ素子におけるスイッチング現象の研究【Powered by NICT】
Investigations of switching phenomena in Pt/HfO2/Ti/Pt memristive devices
著者 (4件):
Garda Bartlomiej
(AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krako ́w, Poland)
,
Kasinski Krzysztof
(AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krako ́w, Poland)
,
Ogorzalek Maciej
(Jagiellonian University, Krako ́w, Poland)
,
Galias Zbigniew
(AGH University of Science and Technology, Department of Electrical Engineering, al. Mickiewicza 30, 30-059 Krakow, Poland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECCTD
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)