文献
J-GLOBAL ID:201702276990651834
整理番号:17A1027363
非対称サイジング:B TI劣化に対するSRAMセルのための効果的な設計アプローチ【Powered by NICT】
Asymmetric sizing: An effective design approach for SRAM cells against BTI aging
著者 (2件):
Xuan Zuo
(Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, USA)
,
Gupta Sandeep K.
(Ming Hsieh Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
VTS
ページ:
1-6
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)