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文献
J-GLOBAL ID：201702277173830703
整理番号：17A0133022
原子層堆積Al2O3の湿度関連劣化の評価と防止
Characterization and prevention of humidity related degradation of atomic layer deposited Al2O3
Rueckerl Andreas
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Zeisel Roland
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Mandl Martin
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Leibnizstr. 4, 93055 Regensburg, Germany)
,
Costina Ioan
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Schroeder Thomas
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Zoellner Marvin H.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 121 号： 2 ページ： 025306-025306-8 発行年： 2017年01月14日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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