文献
J-GLOBAL ID:201702277186720343
整理番号:17A1399134
電気光学機能性を可能にするための歪シリコンデバイスにおける最近の進歩【Powered by NICT】
Recent advances in strained silicon devices for enabling electro-optical functionalities
著者 (4件):
Olivares Irene
(Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain)
,
Angelova Todora Ivanova
(Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain)
,
Gutierrez Ana Maria
(Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain)
,
Sanchis Pablo
(Universitat Polite`cnica de Vale`ncia. I. U. I. Centro de Tecnologi ́a Nanofoto ́nica Edificio 8F | Planta 2, Camino de Vera, s/n, 46022 Spain)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICTON
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)