文献
J-GLOBAL ID:201702277205998829
整理番号:17A1810396
ハイドロフルオロカーボン化学による繰り返しプロセスを用いた窒化ケイ素の原子層エッチング
Atomic layer etching of silicon nitride using cyclic process with hydrofluorocarbon chemistry
著者 (7件):
ISHII Yohei
(Hitachi High Technol. America, Inc., OR, USA)
,
OKUMA Kazumasa
(Hitachi High Technol. America, Inc., TX, USA)
,
SALDANA Tiffany
(Hitachi High Technol. America, Inc., TX, USA)
,
MAEDA Kenji
(Hitachi High Technol. America, Inc., OR, USA)
,
NEGISHI Nobuyuki
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MANOS Jim
(Hitachi High Technol. America, Inc., OR, USA)
,
MANOS Jim
(Hitachi High Technol. America, Inc., TX, USA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6S2
ページ:
06HB07.1-06HB07.6
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)