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文献
J-GLOBAL ID：201702277310361825
整理番号：17A0939163
多段階スパッタリングプロセスによるTiON薄膜における同調可能な欠陥工学:Schottkyダイオードから抵抗スイッチングメモリへ【Powered by NICT】
Tunable defect engineering in TiON thin films by multi-step sputtering processes: from a Schottky diode to resistive switching memory
Su Teng-Yu
(Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan, Republic of China. ylchueh@mx.nthu.edu.tw)
,
Huang Chi-Hsin
,
Shih Yu-Chuan
,
Wang Tsang-Hsuan
,
Medina Henry
,
Huang Jian-Shiou
,
Tsai Hsu-Sheng
,
Chueh Yu-Lun
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 25 ページ： 6319-6327 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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