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文献
J-GLOBAL ID：201702277390126126
整理番号：17A0046694
繰り返し短絡試験における1.2kV 4H-SiC MOSFETの劣化に関する検討
Investigations on the Degradation of 1.2-kV 4H-SiC MOSFETs Under Repetitive Short-Circuit Tests
Zhou Xintian
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Su Hongyuan
(Key Laboratory of Silicon Device Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wang Yan
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Yue Ruifeng
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Dai Gang
(Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China)
,
Li Juntao
(Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63 号： 11 ページ： 4346-4351 発行年： 2016年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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