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文献
J-GLOBAL ID：201702277413851388
整理番号：17A1273426
SiC MOSFETのためのチャネル設計の比較研究:蓄積モードチャネル対反転モードチャネル【Powered by NICT】
A comparative study of channel designs for SiC MOSFETs: Accumulation mode channel vs. inversion mode channel
Sung Woongje
(Colleges of Nanoscale Science and Engineering, State University of New York Polytechnic Institute, Albany, NY 12203, USA)
,
Han Kijeong
(Electrical and Computer Engineering, Power America Institute, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA)
,
Baliga B. Jayant
(Electrical and Computer Engineering, Power America Institute, North Carolina State University, Raleigh, NC 27695, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISPSD ページ： 375-378 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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