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文献
J-GLOBAL ID：201702277423705544
整理番号：17A0581021
原子層堆積により作成されたAlN/Si構造の界面化学特性とバンドアライメントのアニール処理後の効果
Effects of Post Annealing Treatments on the Interfacial Chemical Properties and Band Alignment of AlN/Si Structure Prepared by Atomic Layer Deposition
SUN Long
(Fudan Univ.)
,
LU Hong-Liang
(Fudan Univ.)
,
LU Hong-Liang
(Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci.)
,
CHEN Hong-Yan
(Fudan Univ.)
,
WANG Tao
(Fudan Univ.)
,
JI Xin-Ming
(Fudan Univ.)
,
LIU Wen-Jun
(Fudan Univ.)
,
ZHAO Dongxu
(Changchun Inst. of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. of Sci.)
,
DEVI Anjana
(Ruhr-Univ. Bochum)
,
DING Shi-Jin
(Fudan Univ.)
,
ZHANG David Wei
(Fudan Univ.)
資料名：
Nanoscale Research Letters (Web)
(Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 12 号： 1 ページ： 12:102 (WEB ONLY) 発行年： 2017年12月
JST資料番号： U7001A ISSN： 1931-7573 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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