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文献
J-GLOBAL ID：201702277430710015
整理番号：17A0205992
多層ReSe2/MoS_2p-nヘテロ接合の整流増強された輸送特性と光電流発生【Powered by NICT】
Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS_2 p-n heterojunctions
Wang Xiaoting
(Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Huang Le
(Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Peng Yuting
(Physics and Electronic Engineering College, Henan Normal University)
,
Huo Nengjie
(Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wu Kedi
(School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University)
,
Xia Congxin
(Physics and Electronic Engineering College, Henan Normal University)
,
Wei Zhongming
(Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Tongay Sefaattin
(School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University)
,
Li Jingbo
(Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Nami Yanjiu
(Nami Yanjiu)
巻： 9 号： 2 ページ： 507-516 発行年： 2016年
JST資料番号： C2652A ISSN： 1998-0124 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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