前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702277473914288
整理番号：17A1250765
浮遊基板終端をもつGaN-on-Si横型パワーデバイスの動的R_ON【Powered by NICT】
Dynamic $R_{¥mathrm {ON}}$ of GaN-on-Si Lateral Power Devices With a Floating Substrate Termination
Tang Gaofei
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Wei Jin
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Zhang Zhaofu
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Tang Xi
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Hua Mengyuan
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Wang Hanxing
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
,
Chen Kevin J.
(Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology (HKUST), Kowloon, Hong Kong)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 7 ページ： 937-940 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。