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文献
J-GLOBAL ID:201702277649650702   整理番号:17A0124328

kMC TDDBシミュレーションを持つ超薄EOT高k金属ゲートNMOSFETの時間依存絶縁破壊特性に及ぼすTiNキャッピング層の影響に関する研究【Powered by NICT】

Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high--k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations
著者 (14件):
Xu Hao
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Yang Hong
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Luo Weichun
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Xu Yefeng
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Wang Yanrong
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Tang Bo
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Wang Wenwu
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Qi Luwei
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Li Junfeng
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Yan Jiang
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Zhu Huilong
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Zhao Chao
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Chen Dapeng
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)
Ye Tianchun
(Institute of MicroElectronics, Chinese Academy of Sciences)

資料名:
Chinese Physics B  (Chinese Physics B)

巻: 25  号:ページ: 087305-1-087305-05  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1539A  ISSN: 1674-1056  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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