文献
J-GLOBAL ID:201702277725491310
整理番号:17A0539991
ZnSe1-xOx合金のバンドギャップの温度依存性へのバンド反交差の効果
Effects of band anticrossing on the temperature dependence of the band gap of ZnSe1-xOx alloys
著者 (6件):
WELNA M
(Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL)
,
WELNA M
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
BARANOWSKI M
(Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL)
,
KUDRAWIEC R
(Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL)
,
NABETANI Y
(Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
,
WALUKIEWICZ W
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
1
ページ:
015005,1-6
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)