文献
J-GLOBAL ID:201702277769947693
整理番号:17A0852405
ストレスを受けた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタ負バイアス照明のミリ秒正バイアス回復【Powered by NICT】
Millisecond Positive Bias Recovery of Negative Bias Illumination Stressed Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors
著者 (2件):
Billah Mohammad Masum
(Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, South Korea)
,
Jang Jin
(Department of Information Display, Advanced Display Research Center, Kyung Hee University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
4
ページ:
477-480
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)