文献
J-GLOBAL ID:201702277770262303
整理番号:17A1649035
断熱論理を用いたFinFETベースSRAMセルにおける電力とエネルギーの最適化【Powered by NICT】
Optimization of power and energy in FinFET based SRAM cell using adiabatic logic
著者 (2件):
Patil Sudarshan
(School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India)
,
Bhaaskaran V S Kanchana
(School of Electronics Engineering, VIT University, Chennai-600127, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICNETS2
ページ:
394-402
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)