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文献
J-GLOBAL ID：201702277804384652
整理番号：17A0345842
GANベースHEMT構造に基づくセンサの研究進展【JST・京大機械翻訳】
Progress of Sensor Elements Based on GaN-based HEMT Structure
Zhu Yanxu
(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
,
Wang Yuehua
(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
,
Song Huihui
(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
,
Li Lailong
(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
,
Shi Dong
(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Beijing University of Technology)
資料名：
Faguang Xuebao
(Faguang Xuebao)
巻： 37 号： 12 ページ： 1545-1553 発行年： 2016年
JST資料番号： W1380A ISSN： 1000-7032 CODEN： FAXUEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 中国語 (ZH)
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