文献
J-GLOBAL ID:201702277868607390
整理番号:17A1376462
MoS2トランジスタにおける負容量効果による持続的なサブ60mV/decスイッチング
Sustained Sub-60 mV/decade Switching via the Negative Capacitance Effect in MoS2 Transistors
著者 (7件):
MCGUIRE Felicia A.
(Duke Univ., North Carolina, USA)
,
LIN Yuh-Chen
(Duke Univ., North Carolina, USA)
,
PRICE Katherine
(Duke Univ., North Carolina, USA)
,
RAYNER G. Bruce
(Kurt J. Lesker, Co., Pennsylvania, USA)
,
KHANDELWAL Sourabh
(Macquarie Univ., NSW, AUS)
,
SALAHUDDIN Sayeef
(Univ. California - Berkeley, California, USA)
,
FRANKLIN Aaron D.
(Duke Univ., North Carolina, USA)
資料名:
Nano Letters
(Nano Letters)
巻:
17
号:
8
ページ:
4801-4806
発行年:
2017年08月
JST資料番号:
W1332A
ISSN:
1530-6984
CODEN:
NALEFD
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)