前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702277902260224
整理番号：17A0302118
酸素プラズマ処理を用いた埋込みゲート準エンハンスメントモードAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ【Powered by NICT】
Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment
He Yunlong
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Wang Chong
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Mi Minhan
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zheng Xuefeng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Meng
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University)
,
Zhao Mengdi
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Zhang Hengshuang
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Chen Lixiang
(School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University)
,
Zhang Jincheng
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Ma Xiaohua
(School of Microelectronics, Xidian University)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University)
資料名：
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻： 25 号： 11 ページ： 117305_01-117305_06 発行年： 2016年
JST資料番号： W1539A ISSN： 1674-1056 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。