文献
J-GLOBAL ID:201702278039969237
整理番号:17A0852408
薄膜CdTe/CdSに基づくアバランシェフォトダイオードの作製と解析【Powered by NICT】
Fabrication and Analysis of Thin Film CdTe/CdS-Based Avalanche Photodiodes
著者 (3件):
Qaradaghi Vahid
(The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
,
Mejia Israel
(The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
,
Quevedo-Lopez Manuel
(The University of Texas at Dallas, Richardson, TX, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
4
ページ:
489-492
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)