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文献
J-GLOBAL ID：201702278116441829
整理番号：17A0402817
パルスレーザ蒸着により成長させた極薄MoS_2膜の構造特性に及ぼすGaN/AlGaN/GaN(0001)及びSi(100)基板の影響【Powered by NICT】
Influence of GaN/AlGaN/GaN (0001) and Si (100) substrates on structural properties of extremely thin MoS2 films grown by pulsed laser deposition
Chromik S.
(Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Sojkova M.
(Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Vretenar V.
(STU Centre for Nanodiagnostics, Vazovova 5, 812 43 Bratislava, Slovakia)
,
Rosova A.
(Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Dobrocka E.
(Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
,
Hulman M.
(Institute of Electrical Engineering, SAS, Dubravska cesta 9, 841 04 Bratislava, Slovakia)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 395 ページ： 232-236 発行年： 2017年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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