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文献
J-GLOBAL ID：201702278122598999
整理番号：17A1250760
モノリシック集積のためのトレンチアイソレーションを用いた200mm GaN-on-SOIに及ぼすp-GaN EMT作製した200Vエンハンスメントモード【Powered by NICT】
200 V Enhancement-Mode p-GaN HEMTs Fabricated on 200 mm GaN-on-SOI With Trench Isolation for Monolithic Integration
Li Xiangdong
(imec, Leuven, Belgium)
,
Van Hove Marleen
(imec, Leuven, Belgium)
,
Zhao Ming
(imec, Leuven, Belgium)
,
Geens Karen
(imec, Leuven, Belgium)
,
Lempinen Vesa-Pekka
(Okmetic Oyj, Vantaa, Finland)
,
Sormunen Jaakko
(Okmetic Oyj, Vantaa, Finland)
,
Groeseneken Guido
(imec, Leuven, Belgium)
,
Decoutere Stefaan
(imec, Leuven, Belgium)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 7 ページ： 918-921 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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