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文献
J-GLOBAL ID：201702278148738628
整理番号：17A1622988
一定成長率で成長させた歪結合多層In(Ga)As/GaAs量子ドットにおける量子ドットサイズ均一性の証拠【Powered by NICT】
Evidence of quantum dot size uniformity in strain-coupled multilayered In(Ga)As/GaAs QDs grown with constant overgrowth percentage
Panda Debiprasad
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
,
Ahmad Aijaz
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
,
Ghadi Hemant
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
,
Adhikary Sourav
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
,
Tongbram Binita
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
,
Chakrabarti Subhananda
(Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Mumbai, Maharashtra 400076, India)
資料名：
Journal of Luminescence
(Journal of Luminescence)
巻： 192 ページ： 562-566 発行年： 2017年
JST資料番号： D0731A ISSN： 0022-2313 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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