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文献
J-GLOBAL ID：201702278208277486
整理番号：17A0412395
内部光電子放出分光法による極薄Pt/ZrO_2~-Al_2O_3 ZrO_2/TiN DRAMキャパシタSchottky障壁高さの研究【Powered by NICT】
Investigation of ultrathin Pt/ZrO2-Al2O3-ZrO2/TiN DRAM capacitors Schottky barrier height by internal photoemission spectroscopy
Lee Sang Yeon
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
,
Chang Jaewan
(Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea)
,
Choi Jaehyung
(Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea)
,
Kim Younsoo
(Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea)
,
Lim HanJin
(Samsung Electronics, 1, Samsungeonja-ro, Hwasung-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea)
,
Jeon Hyeongtag
(Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, South Korea)
,
Seo Hyungtak
(Department of Energy Systems Research, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
,
Seo Hyungtak
(Department of Materials Science and Engineering, Ajou University, Suwon 16499, South Korea)
資料名：
Current Applied Physics
(Current Applied Physics)
巻： 17 号： 2 ページ： 267-271 発行年： 2017年
JST資料番号： W1579A ISSN： 1567-1739 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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