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文献
J-GLOBAL ID：201702278389238276
整理番号：17A0640871
シリコンナノ構造の高温炭化により作った炭化ケイ素ナノワイヤの構造と光学的性質
Structural and Optical Properties of Silicon-Carbide Nanowires Produced by the High-Temperature Carbonization of Silicon Nanostructures
PAVLIKOV A. V.
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
LATUKHINA N. V.
(Samara National Res. Univ., Samara, RUS)
,
CHEPURNOV V. I.
(Samara National Res. Univ., Samara, RUS)
,
TIMOSHENKO V. Yu.
(Moscow State Univ., Moscow, RUS)
,
TIMOSHENKO V. Yu.
(Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 3 ページ： 402-406 発行年： 2017年03月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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