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文献
J-GLOBAL ID:201702278452674237   整理番号:17A0243257

(La,Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態

Charge transfer state of Eu3+ centers activated in (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N
著者 (5件):
岡田将大
(鳥取大 大学院工学研究科)
石垣雅
(鳥取大 大学院工学研究科)
吉松良
(デンカ)
本間徹生
(高輝度光科学研究セ)
大観光徳
(鳥取大 大学院工学研究科)

資料名:
電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻: 116  号: 430(EID2016 31-47)  ページ: 121-124  発行年: 2017年01月19日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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