文献
J-GLOBAL ID:201702278452674237
整理番号:17A0243257
(La,Gd)-O-F-S及びY-Si-O-N系母体中におけるEu3+発光中心の電荷移動状態
Charge transfer state of Eu3+ centers activated in (La, Gd)-O-F-S and Y-Si-O-N
著者 (5件):
岡田将大
(鳥取大 大学院工学研究科)
,
石垣雅
(鳥取大 大学院工学研究科)
,
吉松良
(デンカ)
,
本間徹生
(高輝度光科学研究セ)
,
大観光徳
(鳥取大 大学院工学研究科)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
116
号:
430(EID2016 31-47)
ページ:
121-124
発行年:
2017年01月19日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)