文献
J-GLOBAL ID:201702278513471812
整理番号:17A0326073
二軸歪みを用いた単分子層すず(II)セレニドにおける広範囲波長可変および異方性電荷キャリア移動度:第一原理研究【Powered by NICT】
Widely tunable and anisotropic charge carrier mobility in monolayer tin(ii) selenide using biaxial strain: a first-principles study
著者 (4件):
Zhou Mei
(Institute of Applied Physics and Computational Mathematics, No. 6 Garden Road, Haidian District, Beijing 100088, China. meizhou201688@gmail.com)
,
Chen Xiaobin
,
Li Menglei
,
Du Aijun
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
5
ページ:
1247-1254
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)