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文献
J-GLOBAL ID：201702278520183316
整理番号：17A0868268
Al LaNiO_3ヘテロ構造における界面抵抗記憶素子【Powered by NICT】
Interfacial memristors in Al-LaNiO3 heterostructures
Tian Bobo
(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China. hongshen@mail.sitp.ac.cn)
,
Nukala Pavan
,
Hassine Mohamed Ben
,
Zhao Xiaolin
,
Wang Xudong
,
Shen Hong
,
Wang Jianlu
,
Sun Shuo
,
Lin Tie
,
Sun Jinglan
,
Ge Jun
,
Huang Rong
,
Duan Chungang
,
Reiss Thomas
,
Varela Maria
,
Dkhil Brahim
,
Meng Xiangjian
,
Chu Junhao
資料名：
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19 号： 26 ページ： 16960-16968 発行年： 2017年
JST資料番号： A0271C ISSN： 1463-9076 CODEN： PPCPFQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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