文献
J-GLOBAL ID:201702278685041999
整理番号:17A1033509
ナノチューブに基づくFETの電荷トラップのアドミタンス分光法【Powered by NICT】
Admittance spectroscopy of charge traps of FET based on nanotubes
著者 (5件):
Ilchenko V.
(Institute of High Technology, National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine)
,
Vasyliev I.
(Institute of High Technology, National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine)
,
Derenskyi V.
(Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, The Netherlands)
,
Gerasymenko M.
(Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, The Netherlands)
,
Loi M. A.
(Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Groningen, The Netherlands)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ELNANO
ページ:
198-200
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)