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文献
J-GLOBAL ID：201702278762646314
整理番号：17A0942818
SiC MOSFETスイッチング性能に及ぼす荷重寄生インダクタンスの影響の研究【Powered by NICT】
Investigation of the effects of load parasitic inductance on SiC MOSFETs switching performance
Sayed Hussain
(Department of Systems Engineering, University of Arkansas at Little Rock, Little Rock, AR 72204, USA)
,
Zurfi Ahmed
(Department of Systems Engineering, University of Arkansas at Little Rock, Little Rock, AR 72204, USA)
,
Zhang Jing
(Department of Systems Engineering, University of Arkansas at Little Rock, Little Rock, AR 72204, USA)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICIT ページ： 125-129 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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