文献
J-GLOBAL ID:201702278774278600
整理番号:17A0594649
収差補正型走査透過型電子顕微鏡を用いた化合物半導体およびヘテロ界面の観察
Observation of compound semiconductors and heterovalent interfaces using aberration-corrected scanning transmission electron microscopy
著者 (5件):
SMITH David J.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
LU Jing
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
AOKI Toshihiro
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
MCCARTNEY Martha R.
(Arizona State Univ., AZ, USA)
,
ZHANG Yong-Hang
(Arizona State Univ., AZ, USA)
資料名:
Journal of Materials Research
(Journal of Materials Research)
巻:
32
号:
5
ページ:
921-927
発行年:
2017年03月14日
JST資料番号:
D0987B
ISSN:
0884-2914
CODEN:
JMREEE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)