文献
J-GLOBAL ID:201702278857009789
整理番号:17A0291833
グラフェン電子-正孔二重層における螺旋エッジ状態と分数量子Hall効果
Helical edge states and fractional quantum Hall effect in a graphene electron-hole bilayer
著者 (8件):
SANCHEZ-YAMAGISHI Javier D.
(Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
,
LUO Jason Y.
(Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
,
YOUNG Andrea F.
(Univ. California Santa Barbara, California, USA)
,
HUNT Benjamin M.
(Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA)
,
WATANABE Kenji
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
TANIGUCHI Takashi
(National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
,
ASHOORI Raymond C.
(Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
,
JARILLO-HERRERO Pablo
(Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA)
資料名:
Nature Nanotechnology
(Nature Nanotechnology)
巻:
12
号:
2
ページ:
118-122
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W2059A
ISSN:
1748-3387
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)