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文献
J-GLOBAL ID：201702278943672747
整理番号：17A0062089
部分空乏化シリコン・オン・インシュレータMOSFETの総電離線量コンパクトモデリングの新しい方法【Powered by NICT】
New Method of Total Ionizing Dose Compact Modeling in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs
Huang Jianqiang
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
He Weiwei
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Chen Jing
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Luo Jiexin
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Lu Kai
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
,
Chai Zhan
(Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 33 号： 9 ページ： 096101-1-096101-4 発行年： 2016年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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