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文献
J-GLOBAL ID：201702278989129534
整理番号：17A0605021
2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発
Sub-3 ns pulse with sub-100 μA switching of 1x-2x nm perpendicular MTJ for high-performance embedded STT-MRAM towards sub-20 nm CMOS
才田大輔
(東芝 研究開発セ)
,
柏田沙織
(東芝 研究開発セ)
,
矢ヶ部恵弥
(東芝 研究開発セ)
,
大坊忠臣
(東芝 研究開発セ)
,
伊藤順一
(東芝 研究開発セ)
,
野口紘希
(東芝 研究開発セ)
,
安部恵子
(東芝 研究開発セ)
,
藤田忍
(東芝 研究開発セ)
,
福本三芳
(大阪大)
,
三輪真嗣
(大阪大)
,
鈴木義茂
(大阪大)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117 号： 9(ICD2017 1-18) ページ： 5-9 発行年： 2017年04月13日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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