文献
J-GLOBAL ID:201702278994981335
整理番号:17A0527045
エピタクシーカルコゲナイド薄膜とデバイスの成長のための一般的なトップダウンイオン交換プロセス
General Top-Down Ion Exchange Process for the Growth of Epitaxial Chalcogenide Thin Films and Devices
著者 (6件):
XIA Chuan
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
LI Peng
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
LI Jun
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
JIANG Qiu
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
ZHANG Xixiang
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
,
ALSHAREEF Husam N.
(King Abdullah Univ. Sci. and Technol. (KAUST), Thuwal, SAU)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
29
号:
2
ページ:
690-698
発行年:
2017年01月24日
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)