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文献
J-GLOBAL ID：201702279024297347
整理番号：17A1262574
電源雑音分布と接地信号測定によるチップ間キャリブレーション機能を持つ回路における負バイアス温度不安定性とゲート酸化膜破壊のモデル化【Powered by NICT】
Negative Bias Temperature Instability and Gate Oxide Breakdown Modeling in Circuits With Die-to-Die Calibration Through Power Supply and Ground Signal Measurements
Cha Soonyoung
(Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Liu Taizhi
(Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Milor Linda
(Department of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
(IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25 号： 8 ページ： 2271-2284 発行年： 2017年
JST資料番号： W0516A ISSN： 1063-8210 CODEN： ITCOB4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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