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文献
J-GLOBAL ID：201702279077786906
整理番号：17A0389354
V字型チエノ[3,2-f:4,5-f′]ビス[1]ベンゾチオフェン半導体に基づいた高性能溶液結晶化薄膜トランジスタ【Powered by NICT】
High performance solution-crystallized thin-film transistors based on V-shaped thieno[3,2-f:4,5-f′]bis[1]benzothiophene semiconductors
Mitsui Chikahiko
(Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8561, Japan. tokamoto@k.u-tokyo.ac.jp)
,
Tsuyama Hiroaki
,
Shikata Ryoji
,
Murata Yoshinori
,
Kuniyasu Hiroyuki
,
Yamagishi Masakazu
,
Ishii Hiroyuki
,
Yamamoto Akito
,
Hirose Yuri
,
Yano Masafumi
,
Takehara Tsunayoshi
,
Suzuki Takeyuki
,
Sato Hiroyasu
,
Yamano Akihito
,
Fukuzaki Eiji
,
Watanabe Tetsuya
,
Usami Yoshihisa
,
Takeya Jun
,
Okamoto Toshihiro
資料名：
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5 号： 8 ページ： 1903-1909 発行年： 2017年
JST資料番号： W2383A ISSN： 2050-7526 CODEN： JMCCCX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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