文献
J-GLOBAL ID:201702279109654666
整理番号:17A1056582
0.25μmB CDプロセスによる60V高電圧pチャネルLDMOS大アレイデバイスのESD自己保護能力の改善【Powered by NICT】
Improving the ESD self-protection capability of 60V HV p-channel LDMOS large array device in 0.25μm BCD process
著者 (2件):
Chen Hung-Wei
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang Mi-Chang
(Institute of Electronics Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
74
ページ:
110-117
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)