文献
J-GLOBAL ID:201702279115090209
整理番号:17A0868294
ジグザグホスホレン様MX(M=Ge/Sn, X=S/Se)ナノ構造の電子輸送特性【Powered by NICT】
The electronic transport properties of zigzag phosphorene-like MX (M = Ge/Sn, X = S/Se) nanostructures
著者 (8件):
Zhang Mengjun
(College of Physics and Materials Science & Henan Key Laboratory of Boron Chemistry and Advanced Energy Materials, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China. ypan@htu.edu.cn)
,
An Yipeng
,
Sun Yongqiang
,
Wu Dapeng
,
Chen Xuenian
,
Wang Tianxing
,
Xu Guoliang
,
Wang Kun
資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics
(Physical Chemistry Chemical Physics)
巻:
19
号:
26
ページ:
17210-17215
発行年:
2017年
JST資料番号:
A0271C
ISSN:
1463-9076
CODEN:
PPCPFQ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)