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J-GLOBAL ID:201702279115090209   整理番号:17A0868294

ジグザグホスホレン様MX(M=Ge/Sn, X=S/Se)ナノ構造の電子輸送特性【Powered by NICT】

The electronic transport properties of zigzag phosphorene-like MX (M = Ge/Sn, X = S/Se) nanostructures
著者 (8件):
Zhang Mengjun
(College of Physics and Materials Science & Henan Key Laboratory of Boron Chemistry and Advanced Energy Materials, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China. ypan@htu.edu.cn)
An Yipeng
Sun Yongqiang
Wu Dapeng
Chen Xuenian
Wang Tianxing
Xu Guoliang
Wang Kun

資料名:
Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)

巻: 19  号: 26  ページ: 17210-17215  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0271C  ISSN: 1463-9076  CODEN: PPCPFQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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