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文献
J-GLOBAL ID：201702279167251769
整理番号：17A0181165
III Nsとn MoS_2/p-InGaNダイオードのエピタキシャル形成上の大面積MoS_2van der Waalsエピタクシー【Powered by NICT】
Large area MoS2 van der Waals epitaxy on III-Ns and the epitaxial formation of a n-MoS2/p-InGaN diode
Jung Kyooho
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801)
,
Liu Che-Yu
(Departmet of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Kim J D
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801)
,
Choi Wonsik
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801)
,
Zhou Weidong
(Department of Electrical Engineering, University of Texas, Arlington, TX 76019)
,
Kuo Hao-Chung
(Departmet of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Taiwan)
,
Li Xiuling
(Department of Electrical and Computer Engineering, University of Illinois, Urbana, IL 61801)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： IPC ページ： 657-658 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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