文献
J-GLOBAL ID:201702279288369299
整理番号:17A0214208
16/14nmノードおよびそれ以上における高速・高信頼性埋込みフラッシュのためのFinFET分割ゲートMONOSの初めての実証【Powered by NICT】
First demonstration of FinFET split-gate MONOS for high-speed and highly-reliable embedded flash in 16/14nm-node and beyond
著者 (12件):
Tsuda S.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Kawashima Y.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Sonoda K.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Yoshitomi A.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Mihara T.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Narumi S.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Inoue M.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Muranaka S.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Maruyama T.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Yamashita T.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Yamaguchi Y.
(Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan)
,
Hisamoto D.
(Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
11.1.1-11.1.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)