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文献
J-GLOBAL ID：201702279421609749
整理番号：17A0661117
単層グラフェン/MoS_2ヘテロ構造の圧力誘起電荷移動ドーピング【Powered by NICT】
Pressure-Induced Charge Transfer Doping of Monolayer Graphene/MoS2 Heterostructure
Pandey Tribhuwan
(Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India)
,
Nayak Avinash P.
(Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Liu Jin
(Department of Geological Sciences, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Moran Samuel T.
(Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Kim Joon-Seok
(Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Li Lain-Jong
(Physical Science and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal, 23955, Saudi Arabia)
,
Lin Jung-Fu
(Department of Geological Sciences, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Lin Jung-Fu
(Center for High Pressure Science and Technology Advanced Research (HPSTAR), Shanghai, 201203, P. R. China)
,
Akinwande Deji
(Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, TX, 78712, USA)
,
Singh Abhishek K.
(Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India)
資料名：
Small
(Small)
巻： 12 号： 30 ページ： 4063-4069 発行年： 2016年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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