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文献
J-GLOBAL ID:201702279448425816   整理番号:17A1223491

新しい多層トンネルFinFETへのSiGe/Siヘテロ接合の導入

Introduction of SiGe/Si heterojunction into novel multilayer tunnel FinFET
著者 (11件):
MORITA Yukinori
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
FUKUDA Koichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MORI Takahiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MIGITA Shinji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
ENDO Kazuhiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
O’UCHI Shin-ichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
LIU Yongxun
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MASAHARA Meishoku
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)

巻: 55  号: 4S  ページ: 04EB06.1-04EB06.5  発行年: 2016年04月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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