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文献
J-GLOBAL ID：201702279448425816
整理番号：17A1223491
新しい多層トンネルFinFETへのSiGe/Siヘテロ接合の導入
Introduction of SiGe/Si heterojunction into novel multilayer tunnel FinFET
MORITA Yukinori
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
FUKUDA Koichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORI Takahiro
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIZUBAYASHI Wataru
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MIGITA Shinji
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
O’UCHI Shin-ichi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
LIU Yongxun
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OTA Hiroyuki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55 号： 4S ページ： 04EB06.1-04EB06.5 発行年： 2016年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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