文献
J-GLOBAL ID:201702279495722611
整理番号:17A1633066
InSeおよび黒りんヘテロ構造によるInSe単分子層における正孔移動度の増強【Powered by NICT】
Enhancement of hole mobility in InSe monolayer via an InSe and black phosphorus heterostructure
著者 (10件):
Ding Yi-min
(State Key Laboratory for Artificial Microstructures and Mesoscopic Physics, School of Physics, Peking University, Beijing 100871, China. jjshi@pku.edu.cn)
,
Shi Jun-jie
,
Xia Congxin
,
Zhang Min
,
Du Juan
,
Huang Pu
,
Wu Meng
,
Wang Hui
,
Cen Yu-lang
,
Pan Shu-hang
資料名:
Nanoscale
(Nanoscale)
巻:
9
号:
38
ページ:
14682-14689
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2323A
ISSN:
2040-3364
CODEN:
NANOHL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)