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文献
J-GLOBAL ID：201702279559265459
整理番号：17A0375069 陽電子消滅により研究したアニーリングによる非晶質シリコン薄膜の微細構造の発展【Powered by NICT】
Microstructure evolution of amorphous silicon thin films upon annealing studied by positron annihilation
Wang Xiaonan
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
, He Xiaoyu
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
, Mao Wenfeng
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
, Zhou Yawei
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
, Lv Shuliang
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
, He Chunqing
(Key Laboratory of Nuclear Solid State Physics Hubei Province, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 56 ページ： 344-348 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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