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文献
J-GLOBAL ID：201702279603435127
整理番号：17A0852397
抵抗ランダムアクセスメモリにおけるBNに基づく挿入層によるソフトブレークダウン成形とを産生する優れた持久運動能力の程度の制御【Powered by NICT】
Controlling the Degree of Forming Soft-Breakdown and Producing Superior Endurance Performance by Inserting BN-Based Layers in Resistive Random Access Memory
Tsai Tsung-Ming
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wu Cheng-Hsien
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chang Kuan-Chang
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Pan Chih-Hung
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chen Po-Hsun
(Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Lin Ni-Ke
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Lin Jiun-Chiu
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Lin Yu-Shuo
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Chen Wen-Chung
(Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
,
Wu Huaqiang
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Deng Ning
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
,
Qian He
(Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 4 ページ： 445-448 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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