文献
J-GLOBAL ID:201702279621118678
整理番号:17A0381552
超高アスペクト比と厚い深いシリコンエッチング(UDRIE)【Powered by NICT】
Ultra high aspect-ratio and thick deep silicon etching (UDRIE)
著者 (3件):
Tang Yemin
(Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
,
Sandoughsaz Amin
(Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
,
Najafi Khalil
(Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
MEMS
ページ:
700-703
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)