文献
J-GLOBAL ID:201702279647795853
整理番号:17A0362497
高温逆バイアスストレス下のパワーダイオードの寿命と加速モデル化の終り【Powered by NICT】
End of life and acceleration modelling for power diodes under high temperature reverse bias stress
著者 (4件):
Schilling O.
(Infineon Technologies AG, Max-Planckstrasse 5, 59581 Warstein, Germany)
,
Leitner K.
(Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany)
,
Schulze K.-D.
(Infineon Technologies AG, Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg, Germany)
,
Umbach F.
(Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
64
ページ:
458-463
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)